| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -40.0 V |
| 额定电流 | -200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -750mV/-0.75V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Switching Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Package 描述与应用| PNP硅开关晶体管 特点 •无铅封装
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT4403 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
MMBT4403系列 40 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
Diodes（美台）
小信号晶体管（ PNP ） SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
Micro Commercial Components（美微科）
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