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MMBT5401LT3G
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MMBT5401LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新
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MMBT5401LT3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率300 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-150 V
额定电流-500 mA
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
极性PNP
功耗225 mW
增益频宽积300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)150 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数60 @10mA, 5V
额定功率(Max)300 mW
直流电流增益(hFE)50
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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MMBT5401LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBT5401LT3G 数据手册

MMBT5401LT3G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.11 MByte
MMBT5401LT3G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
14 页 / 0.05 MByte
MMBT5401LT3G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte

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