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MMBT5401WT1G
来自 AiPCBA

MMBT5401WT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-70-3
描述:高压晶体管 High Voltage Transistor
PDF文件:MMBT5401WT1G 数据手册 (3 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
MMBT5401WT1G 数据手册 (3 页)
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MMBT5401WT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率300 MHz
引脚数3 Pin
封装SC-70-3
极性PNP
功耗0.4 W
击穿电压(集电极-发射极)150 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数60 @10mA, 5V
额定功率(Max)400 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400 mW
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MMBT5401WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBT5401WT1G 数据手册

MMBT5401WT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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