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MMBT5550LT3G
来自 AiPCBA

MMBT5550LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:MMBT5550L: 高电压 NPN 双极晶体管
PDF文件:MMBT5550LT3G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
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MMBT5550LT3G 数据手册 (6 页)
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MMBT5550LT3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)140 V
额定电流600 mA
封装SOT-23-3
极性NPN
功耗225 mW
击穿电压(集电极-发射极)140 V
最小电流放大倍数60 @10mA, 5V
额定功率(Max)225 mW
直流电流增益(hFE)60
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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MMBT5550LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBT5550LT3G 数据手册

MMBT5550LT3G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte
MMBT5550LT3G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.19 MByte
MMBT5550LT3G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte
MMBT5550LT3G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte

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MMBT5550L: 高电压 NPN 双极晶体管
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