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MMBT5551M3T5G
来自 AiPCBA

MMBT5551M3T5G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-723
描述:NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor
PDF文件:MMBT5551M3T5G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
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MMBT5551M3T5G 数据手册 (5 页)
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MMBT5551M3T5G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-723
针脚数3 Position
极性NPN
功耗640 mW
击穿电压(集电极-发射极)160 V
集电极最大允许电流0.06A
最小电流放大倍数80 @10mA, 5V
额定功率(Max)265 mW
直流电流增益(hFE)80
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)640 mW
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MMBT5551M3T5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBT5551M3T5G 数据手册

MMBT5551M3T5G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.07 MByte
MMBT5551M3T5G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.1 MByte
MMBT5551M3T5G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.05 MByte

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