类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 8.5 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -15.0 V |
额定电流 | -200 mA |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | P-Channel, N-Channel |
功耗 | 225 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
集电极最大允许电流 | 0.2A |
最小电流放大倍数 | 50 |
最大电流放大倍数 | 120 |
额定功率(Max) | 225 mW |
直流电流增益(hFE) | 20 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 225 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
宽度 | 1.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8.5MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50~120 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −600mV/-0.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturate switching at collector currents to 100 mA. 描述与应用| PNP开关晶体管 该设备是专为非常高的速度饱和集电极电流为100 mA开关而设计。
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