| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 310 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @500mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 310 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 710 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −650mV/-0.65V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 310mW/0.31W Description & Applications| High current surface mount PNP Silicon Switching Transistor for load management in portable applications 描述与应用| 高电流表面贴装 PNP硅开关晶体管 在便携式应用中的负载管理
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高电流表面贴装PNP硅开关晶体管，用于便携式应用负荷管理 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
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ON SEMICONDUCTOR MMBT589LT1G 单晶体管 双极, 低VCE(Sat), PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE
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