| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 700 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.3 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 最小电流放大倍数 | 500 @100µA, 5V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 55V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz~700Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 500~1250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~600mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Amplifier Transistors NPN Silicon 描述与应用| 放大器晶体管 NPN硅
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
MMBT6429 NPN三极管 55V 200mA/0.2A 100Mhz~700Mhz 500~1250 200mV/0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 M1L 放大器
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE
ON Semiconductor（安森美）
放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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