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MMBT6517LT3G
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MMBT6517LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:高压晶体管 High Voltage Transistor
PDF文件:MMBT6517LT3G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
MMBT6517LT3G 数据手册 (5 页)
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MMBT6517LT3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率200 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)350 V
额定电流500 mA
封装SOT-23-3
极性NPN
功耗225 mW
增益频宽积200 MHz
击穿电压(集电极-发射极)350 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数20 @50mA, 10V
额定功率(Max)225 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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MMBT6517LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBT6517LT3G 数据手册

MMBT6517LT3G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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