| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 200 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -350 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 0.3 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -350V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| -350V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 40~200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 20~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| High Voltage Transistor PNP Silicon 描述与应用| PNP硅高压晶体管
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ON SEMICONDUCTOR MMBT6520LT1G. 双极性晶体管, PNP, -350V, SOT-23
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高压晶体管 High Voltage Transistor
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