| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 600 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 15.0 V |
| 额定电流 | 50.0 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 225 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
| 增益 | 15 dB |
| 最小电流放大倍数 | 20 @3mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 20 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 600Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 20 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN RF Transistor This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 43. 描述与应用| NPN RF晶体管 这个装置是专为使用RF放大器，振荡器和 乘数在1.0 MA集电极电流30 mA范围。
Fairchild（飞兆/仙童）
15 页 / 0.73 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
17 页 / 0.61 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
