| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 材质 | Silicon |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Driver Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 描述与应用| 驱动晶体管 我们声明，对产品材料 符合RoHS要求。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA06 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor MMBTA06 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistor
Diodes（美台）
小信号晶体管（ NPN ） Small Signal Transistors (NPN)
Micro Commercial Components（美微科）
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
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