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MMBTA06LT1G
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MMBTA06LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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引脚图
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MMBTA06LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流500 mA
封装SOT-23-3
额定功率225 mW
针脚数3 Position
极性NPN
功耗225 mW
增益频宽积100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数100 @100mA, 1V
额定功率(Max)225 mW
直流电流增益(hFE)100
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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MMBTA06LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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MMBTA06LT1G 数据手册

MMBTA06LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.14 MByte
MMBTA06LT1G 其他数据使用手册
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MMBTA06LT1G 产品修订记录
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MMBTA06LT1G 产品手册
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4 页 / 0.1 MByte
MMBTA06LT1G 其他参考文件
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1 页 / 0.13 MByte

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