| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 300 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 0.225 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.3A |
| 最小电流放大倍数 | 10000 @150mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 125MHz (Min) |
| 耗散功率(Max) | 225 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.12 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Micro Commercial Components（美微科）
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Micro Commercial Components（美微科）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA13 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
MMBTA13 NPN 300mA/0.3A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记1M 开关 功率放大
CJ（长电科技）
达林顿管 MMBTA13 K2D SOT-23 NPN,Vceo=30V,Ic=300mA
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
MMBTA13 NPN 500mA/0.5A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记A1X 开关 功率放大
Infineon（英飞凌）
NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistors
Micro Commercial Components（美微科）
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