| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 最小电流放大倍数 | 20000 @100mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 330 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.51 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 20000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
CJ（长电科技）
达林顿管 MMBTA14 K3D SOT-23 NPN,Vceo=30V,Ic=300mA
Infineon（英飞凌）
NPN硅达林顿晶体管高集电极电流低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage
Micro Commercial Components（美微科）
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
