类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 125 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 300 mA |
封装 | SOT-23-3 |
无卤素状态 | Halogen Free |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 225 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 0.3A |
最小电流放大倍数 | 20000 @100mA, 5V |
额定功率(Max) | 225 mW |
直流电流增益(hFE) | 20000 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
增益带宽 | 125MHz (Min) |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.04 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1.01 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管,On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
达林顿放大器晶体管( NPN硅) Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MMBTA14LT1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
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