类型 | 描述 |
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封装 | SOT-23 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
集电极最大允许电流 | 500mA |
最小电流放大倍数 | 100 |
最大电流放大倍数 | 200 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 300V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 300V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50Mhz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 25
●管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V
●耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W
●Description & Applications| FEATURES • SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors • High breakdown voltage • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary to MMBTA92 (PNP)
●描述与应用| 特点 •SOT-23塑料封装晶体管 •高击穿电压 •低集电极 - 发射极饱和电压 •互补MMBTA92(PNP)
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