| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
●Collector-Base Voltage(VCBO) | 300V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
●Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V
●集电极连续输出电流IC
●Collector Current(IC) | 0.5A
●截止频率fT
●Transtion Frequency(fT) | 50MHZ
●直流电流增益hFE
●DC Current Gain(hFE) | 40
●管压降VCE（sat）
●Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5V
●耗散功率Pc
●Power dissipation | 0.225W
●描述与应用
●Description & Applications |
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MMBTA42 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 40 hFE
CJ（长电科技）
NPN,Vceo=300V,Ic=0.3A,丝印1D
ON Semiconductor（安森美）
高电压晶体管 High Voltage Transistors
GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL
NXP（恩智浦）
NXP MMBTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 25 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管高电压 NPN Silicon Transistor for High Voltages
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