| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -80V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −80V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V
●耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W
●Description & Applications| Driver PNP Silicon Transistors Features • Pb−Free Package is Available
●描述与应用| 驱动PNP硅晶体管 特点 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA56 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 100 hFE
ON Semiconductor（安森美）
驱动晶体管（ PNP硅） Driver Transistors(PNP Silicon)
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ PNP ） Small Signal Transistors (PNP)
Diodes（美台）
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 100 hFE
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
MMBTA56 PNP三极管 -80V -500mA/-0.5A 50MHz 100 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 ANX 音频放大器
Micro Commercial Components（美微科）
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