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MMBTA56LT1G-HFE
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MMBTA56LT1G-HFE 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:SOT-23-3
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR PNP 80V
PDF文件:MMBTA56LT1G-HFE 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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MMBTA56LT1G-HFE 数据手册 (5 页)
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MMBTA56LT1G-HFE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
功耗225 mW
击穿电压(集电极-发射极)80 V
最小电流放大倍数100 @100mA, 1V
额定功率(Max)225 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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MMBTA56LT1G-HFE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBTA56LT1G-HFE 数据手册

MMBTA56LT1G-HFE 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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