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MMBTA56WT1G
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MMBTA56WT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-70-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56WT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -80 V, 50 MHz, 150 mW, -500 mA, 100 hFE 新
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MMBTA56WT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率50 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-80.0 V
额定电流-500 mA
封装SC-70-3
针脚数3 Position
极性PNP
功耗150 mW
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数100 @100mA, 1V
额定功率(Max)150 mW
直流电流增益(hFE)100
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
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MMBTA56WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBTA56WT1G 数据手册

MMBTA56WT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
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ON Semiconductor（安森美）
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MMBTA56WT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
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