| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 125 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.20 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 350 mW |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | Dual P-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 最小电流放大倍数 | 20000 @100mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 10000 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 125MHz (Min) |
| 耗散功率(Max) | 0.35 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -30V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1.2A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 125MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 20000
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.5V
●耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W
●Description & Applications| PNP Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA.
●描述与应用| PNP达林顿晶体管 该设备是专为要求极高的电流为800毫安的电流增益的应用而设计。
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