类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -300 V |
额定电流 | -500 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | PNP |
功耗 | 225 mW |
增益频宽积 | 600 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
集电极最大允许电流 | 0.05A |
最小电流放大倍数 | 25 @30mA, 10V |
额定功率(Max) | 300 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.94 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| High Voltage Transistors PNP Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 高电压晶体管PNP硅 特点 •这些器件是无铅,无卤/ 无BFR,并符合RoHS标准
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 25 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 350 mW, -500 mA, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon
NXP(恩智浦)
NXP MMBTA92 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 250 mW, -100 mA, 25 hFE
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
MMBTA92 PNP三极管 -300V -500mA/-0.5A 50MHz 40 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 A92 视频放大器/电话有线接口
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