类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 25.0 V |
额定电流 | 50.0 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 300 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
集电极最大允许电流 | 0.05A |
最小电流放大倍数 | 60 |
额定功率(Max) | 300 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 3.05 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 650Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR Designed for VHF/UHF Amplifier Applications and High Output VHF Oscillators High Current Gain Bandwidth Product Ideal for Mixer and RF Amplifier Applications with collector currents in the 100 A - 30 mA Range 描述与应用| NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管 VHF/ UHF放大器应用设计 和高输出的高频振荡器 高电流增益带宽积 非常适于混频器和射频放大器应用 集电极电流范围100 - 30毫安
Diodes(美台)
4 页 / 0.5 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.11 MByte
Diodes(美台)
3 页 / 0.53 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.05 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件