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MMBTH10LT1
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MMBTH10LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:VHF / UHF晶体管（ NPN硅） VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)
PDF文件:MMBTH10LT1 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
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MMBTH10LT1 数据手册 (5 页)
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MMBTH10LT1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)25.0 V
额定电流4.00 mA
封装SOT-23-3
极性N-Channel
功耗225 mW
击穿电压(集电极-发射极)25 V
最小电流放大倍数60 @4mA, 10V
额定功率(Max)225 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)225 mW
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MMBTH10LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Cut Tape (CT)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBTH10LT1 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
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