MMBTH10LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-23-3
描述:	ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管
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MMBTH10LT3G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	SOT-23-3
无卤素状态	Halogen Free
极性	NPN
功耗	225 mW
增益频宽积	650 MHz
击穿电压(集电极-发射极)	25 V
最小电流放大倍数	60
额定功率(Max)	225 mW
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	225 mW

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MMBTH10LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	3.04 mm
宽度	2.64 mm
高度	1.11 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBTH10LT3G 符合标准

MMBTH10LT3G 海关信息

MMBTH10LT3G 概述

MMBTH10LT3G 数据手册

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