| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 6.50 V |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 24.0 W |
| 击穿电压 | 9.5 V |
| 功耗 | 0.225 W |
| 钳位电压 | 14.2 V |
| 脉冲峰值功率 | 24 W |
| 最小反向击穿电压 | 9.5 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.98 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 厚度 | 1.10 mm |
14.2V 夹子 1.7A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
18 页 / 0.46 MByte
Diodes（美台）
MMBZ10VAL 系列 24W 功率 双 表面贴装 单向 TVS 二极管 - SOT-23
Nexperia（安世）
MMBZ10VAL 系列 6.5 V 130 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 6.5 V, 14.2 V, SOT-23, 3 引脚
NXP（恩智浦）
MMBZ10VAL 系列 6.5 V 130 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, 单向, 6.5 V, 14.2 V, SOT-23, 3 引脚
NXP（恩智浦）
NXP MMBZ10VAL 静电保护装置, TVS, 14.2 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW
ON Semiconductor（安森美）
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Nexperia（安世）
静电保护装置, TVS, 14.2 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW
Diodes Zetex（捷特科）
40W 双瞬态电压抑制器，MMBZ 系列，Diodes Inc 瞬态电压抑制器，Diodes Inc
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