| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 电容 | 140 pF |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 电路数 | 2 Circuit |
| 功耗 | 0.36 W |
| 钳位电压 | 17 V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 脉冲峰值功率 | 40 W |
| 最小反向击穿电压 | 11.4 V |
| 击穿电压 | 11.4 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 360 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TA) |
NXP（恩智浦）
17 页 / 0.47 MByte
NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBZ12VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
Nexperia（安世）
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Nexperia（安世）
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
ON Semiconductor（安森美）
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
NXP（恩智浦）
MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管，共阳极配置，采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器，NXP
NXP（恩智浦）
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
NXP（恩智浦）
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Nexperia（安世）
MMBZ 系列，低电容双路 ESD 保护二极管，Nexperia单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管，共阳极配置，采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器，Nexperia
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