类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 12.0 V |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 40.0 W |
击穿电压 | 12.0 V |
功耗 | 40 W |
钳位电压 | 17 V |
脉冲峰值功率 | 40 W |
最小反向击穿电压 | 11.4 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3.04 mm |
宽度 | 1.40 mm |
高度 | 0.94 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MMBZ12VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
Nexperia(安世)
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Nexperia(安世)
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ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器,NXP
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
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TVS二极管, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23
Nexperia(安世)
MMBZ 系列,低电容双路 ESD 保护二极管,Nexperia单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
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