| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 18.0 V |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 40.0 W |
| 击穿电压 | 17.1 V |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 正向电压 | 0.9 V |
| 功耗 | 0.3 W |
| 钳位电压 | 25 V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 18.9 V |
| 脉冲峰值功率 | 40 W |
| 最小反向击穿电压 | 17.1 V |
| 击穿电压 | 17.1 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.40 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
40W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON Semiconductor
●SOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。
●旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBZ18VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚
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