| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 5.60 V |
| 工作电压 | 3 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 24.0 W |
| 击穿电压 | 5.32 V |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 正向电压 | 0.9 V |
| 功耗 | 300 mW |
| 钳位电压 | 8 V |
| 测试电流 | 20 mA |
| 最大反向击穿电压 | 5.88 V |
| 脉冲峰值功率 | 24 W |
| 最小反向击穿电压 | 5.32 V |
| 击穿电压 | 5.32 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
24W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON Semiconductor
●SOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。
●旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
MMBZ5V6ALT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 3.0V 3.0A 0.225W/225mW SOT23-5.6V 标记5A6
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ON Semiconductor（安森美）
24W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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