类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
工作电压 | 900 mV |
封装 | SOT-23-3 |
通道数 | 2 Channel |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 0.29 W |
钳位电压 | 8.7 V |
脉冲峰值功率 | 24 W |
最小反向击穿电压 | 5.89 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TA) |
MMBZ6V2AL 是一款低电容单向双ESD保护二极管, 共阳极配置。该器件适用于ESD和瞬态过压保护, 可保护2条信号线路。
● 单向ESD保护
● 30kV ESD保护 (触芯放电)
● 双向静电保护, 一条线路
● IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)
● <=280pF 二极管电容Cd
● 40W额定峰值脉冲功率 PPPM
● 5nA泄漏电流IRM
Nexperia(安世)
18 页 / 0.59 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
Diodes(美台)
TVS二极管 Vr=6.2V Ippm=2.76A 24W 功耗225mW 单向 2通路
ON Semiconductor(安森美)
MMBZ6V2ALT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 3.0V 2.76A 0.225W/225mW SOT23-6.2V 标记6A2
Nexperia(安世)
静电保护装置, TVS, 8.7 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW, MMBZ6 Series
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
NXP(恩智浦)
MMBZ10VAL 系列 3 V 175 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
NXP(恩智浦)
NXP MMBZ6V2AL 静电保护装置, TVS, 8.7 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
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