| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 工作电压 | 3 V |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 击穿电压 | 5.89 V |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 钳位电压 | 8.7 V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 6.51 V |
| 脉冲峰值功率 | 24 W |
| 最小反向击穿电压 | 5.89 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温 | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
Diodes（美台）
TVS二极管 Vr=6.2V Ippm=2.76A 24W 功耗225mW 单向 2通路
ON Semiconductor（安森美）
MMBZ6V2ALT1 瞬态抑制二极管TVS/ESD 3.0V 2.76A 0.225W/225mW SOT23-6.2V 标记6A2
Nexperia（安世）
静电保护装置, TVS, 8.7 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW, MMBZ6 Series
ON Semiconductor（安森美）
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
NXP（恩智浦）
MMBZ10VAL 系列 3 V 175 pF 单向 双通道 ESD 保护 二极管 - SOT23
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
NXP（恩智浦）
NXP MMBZ6V2AL 静电保护装置, TVS, 8.7 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 290 mW
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
TVS二极管, MMBZ Series, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
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