最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V
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●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 15V
●最大漏极电流Id Drain Current| 1.5A
●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.12Ω/Ohm @750mA,5V
●开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2V
●耗散功率Pd Power Dissipation| 2.1W
●Description & Applications| • Avalanche Energy Specified • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
●描述与应用| IDSS和VDS（上）指定的高温
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MMFT3055ELT1 N沟道MOSFET 60V 1.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 3055L 高速开关/低导通电阻/低电压驱动
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