| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 75 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.60 A |
| 上升时间 | 135 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1400pF @16V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 20 V 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
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ON Semiconductor（安森美）
P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8
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功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8
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