| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 246 mW |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 0.4 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 35 |
| 额定功率(Max) | 246 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
MMUN2111LT1G 是一款PNP数字晶体管, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 (BRT)包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。
● 简化电路设计
● 减少电路板占用空间
● 减少组件数量
ON Semiconductor（安森美）
12 页 / 0.14 MByte
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PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
ON Semiconductor（安森美）
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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