类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | PNP |
功耗 | 246 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
最小电流放大倍数 | 35 |
最大电流放大倍数 | 35 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.94 mm |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 10千? Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
ON Semiconductor(安森美)
PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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