| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 246 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 35 |
| 额定功率(Max) | 246 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 246 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT3G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio), SOT-23 新
ON Semiconductor（安森美）
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
ON Semiconductor（安森美）
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
Leshan Radio（乐山无线电）
MMUN2211RLT1 偏置电阻晶体管 -50V -0.1A R1=R2=10KΩ SOT23 代码 A8A
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