类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 100 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 246 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
最大电流放大倍数 | 35 |
额定功率(Max) | 246 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.94 mm |
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT3G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio), SOT-23 新
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
MMUN2211RLT1 偏置电阻晶体管 -50V -0.1A R1=R2=10KΩ SOT23 代码 A8A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件