集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 35~60 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 耗散功率Pc Power dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications |
Leshan Radio（乐山无线电）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
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ON SEMICONDUCTOR MMUN2211LT3G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 (Ratio), SOT-23 新
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偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
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MMUN2211RLT1 偏置电阻晶体管 -50V -0.1A R1=R2=10KΩ SOT23 代码 A8A
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