| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 250 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 600 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 625 mW |
| 增益频宽积 | 250 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 热阻 | 83.3℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30 V 600 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3
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ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistors(NPN Silicon)
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) MPS2222 TO-92 100-300
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
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