类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 80.0 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-92-3 |
额定功率 | 625 mW |
极性 | NPN |
功耗 | 1.5 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
热阻 | 83.3℃/W (RθJC) |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 100 @100mA, 1V |
额定功率(Max) | 625 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bulk |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 500 mA 100MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)
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ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MPSA06 TO-92 NPN,Vceo=80V,Ic=500mA,HFE=100-400
NXP(恩智浦)
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
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