类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-226-3 |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
最小电流放大倍数 | 40 @5µA, 10V |
额定功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 100 mA 125MHz 625 mW 通孔 TO-92-3
ON Semiconductor(安森美)
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