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MPSA13ZL1G
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MPSA13ZL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
PDF文件:MPSA13ZL1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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MPSA13ZL1G 数据手册 (6 页)
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MPSA13ZL1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流500 mA
封装TO-226-3
极性NPN
功耗0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)30 V
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数10000 @100mA, 5V
额定功率(Max)625 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
增益带宽125MHz (Min)
耗散功率(Max)625 mW
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MPSA13ZL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Box (TB)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MPSA13ZL1G 数据手册

MPSA13ZL1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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