| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 最小电流放大倍数 | 20000 @100mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 125MHz (Min) |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
达林顿晶体管（ NPN硅） Darlington Transistors(NPN Silicon)
Multicomp
MULTICOMP MPSA14 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, 20000 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington Transistor
Central Semiconductor
MPSA14 系列 硅 30 V 500 mA NPN 达林顿 晶体管 - TO-92-3
NXP（恩智浦）
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistor
Micro Commercial Components（美微科）
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
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