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MPSA18G
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MPSA18G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-92-3
描述:低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon
PDF文件:MPSA18G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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MPSA18G 数据手册 (5 页)
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MPSA18G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)45.0 V
额定电流200 mA
封装TO-92-3
极性NPN
功耗625 mW
增益频宽积160 MHz
击穿电压(集电极-发射极)45 V
集电极最大允许电流0.2A
最小电流放大倍数500 @10mA, 5V
额定功率(Max)625 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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MPSA18G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MPSA18G 数据手册

MPSA18G 数据手册
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