| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 输出电压 | 60 V |
| 输出电流 | 500 mA |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 热阻 | 200℃/W (RθJA) |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 10000 @100mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 10000 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 输入电压 | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 5.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistor NPN Silicon
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
Allegro MicroSystems（急速微电子）
NXP（恩智浦）
NPN达林顿晶体管 NPN Darlington transistors
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