| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-226-3 |
| 输出电压 | 100 V |
| 输出电流 | 500 mA |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 热阻 | 200℃/W (RθJA) |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 10000 @100mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 10000 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 200 MHz |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 输入电压 | 12 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 5.33 mm |
| 高度 | 4.19 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管，On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
达林顿晶体管（ NPN硅） Darlington Transistors(NPN Silicon)
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
National Semiconductor（美国国家半导体）
Micro Commercial Components（美微科）
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