| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 300 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 625 mW |
| 增益频宽积 | 50 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 25 @1mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 500 mA, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
高压晶体管（ NPN硅） High Voltage Transistors(NPN Silicon)
Multicomp
MULTICOMP MPSA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 625 mW, 500 mA, 40 hFE
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