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MPSA55G
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MPSA55G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-226-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MPSA55G  射频双极晶体管
PDF文件:MPSA55G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
MPSA55G 数据手册 (7 页)
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MPSA55G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-500 mA
封装TO-226-3
针脚数3 Position
极性PNP, P-Channel
功耗625 mW
击穿电压(集电极-发射极)60 V
热阻83.3℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流0.5A
最小电流放大倍数100 @100mA, 1V
额定功率(Max)625 mW
直流电流增益(hFE)150
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.5 W
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MPSA55G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
材质Silicon
长度5.2 mm
宽度4.19 mm
高度5.33 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MPSA55G 数据手册

MPSA55G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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1 页 / 0.13 MByte

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